台积电考虑应英伟达要求生产 3D DRAM

据 The Information 援引两位知情人士报道，台积电正考虑将业务扩展至先进存储芯片制造，近期已开始应其最大客户英伟达的要求，制定生产 3D DRAM 的计划。台积电可能新建先进存储芯片工厂，也在研究收购现有工厂并改造为存储芯片生产基地，目前尚未确定投产时间。

该计划由负责台积电先进封装业务的副总裁许国钦主导。3D DRAM 采用垂直堆叠存储单元的架构，而非单层水平排列，以提升容量。若进入先进存储芯片领域，台积电将与三星电子、SK 海力士和美光等公司竞争。台积电和英伟达未立即回应置评请求。