长鑫存储称 4F² 结构取得关键进展，拟推服务器内存

中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）称，其在一种新存储结构上取得关键进展。三星电子与 SK 海力士也在推进同类结构，以提高存储密度。公司总裁曹侃宇在上海一场产业活动上表示，长鑫存储计划在 2026 年底前推出基于该结构的新服务器内存产品，相关说法来自公司声明。

该结构为 4F² 设计，即每个存储单元占用面积为 4F²，其中 F 为半导体最小线宽。公司称，这一专有晶体管设计可通过在单颗芯片上容纳更多存储单元来提高存储密度，并改善效率。目前主流商用 DRAM 采用 6F² 单元结构。