三星电子明年将 HBM4、HBM4E 产量至少翻倍

据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。

三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。